②铝电解电容器

铝电解电容器生产准备阶段要进行抛光处理， 去边缘毛刺时产生少量粉尘;铝箔腐蚀时会产生盐酸气体，切割会产生少量粉尘。

③钽电解电容器

钽电解电容器的烧结过程与焊阳、阴极引线时有VOCs废气产生。

④云母电容器

云母电容器生产过程中在老练过程中产生VOCs废气。

⑤薄膜电阻

薄膜电阻在生产准备阶段要进行抛光处理，去边缘毛刺时产生少量粉尘;表面涂覆有VOCs废气产生。

⑥玻璃釉电阻器

玻璃轴电阻器生产过程中，有机载体的制备、丝网印刷、烘干烧结及引出端焊接有VOCs废气产生。

⑦金属箔电阻器

金属箔电阻器生产过程中的配胶贴箔工序有少量VOCs废气产生。

⑧电感器

电感器在材料准备时会有VOCs产生，包括无水乙醇、丙酮、少量二甲苯等; 焊锡过程有废气与粉尘产生。

⑨电子变压器

电子变压器在点胶和烘烤过程中有VOCs废气产生。

印制电路板(PCB)

印制电路板是电子设备中不可缺少的配件。根据印制板中导线图形层数不同有单面(仅一层线路)、双面(有二层线路)和多层(有三层以上线路)之区分，刚性和挠性板都有不同层数。

半导体器件

①分立器件、集成电路

最常见的双极管之一的NPN 三极管流程主要工艺有:氧化、光刻、N 型外延、基区扩散、发射区扩散、Al 金属化、化学气相沉积(CVD)钝化层等步骤。工艺流程与集成电路生产工艺类似。

集成电路制造可大致分为各独立的“单元”，如晶片制造、氧化、掺杂、显影、刻蚀、薄膜等。各单元中又可再分为不同的"操作步骤"，如清洗、光阻涂布、曝光、显影、离子植入、光阻去除、溅镀、化学气相沉积等。

由于半导体工艺对操作室清洁度要求极高，通常使用风机抽取工艺过程中挥发的各类废气，因此半导体行业废气排放具有排气量大、排放浓度小的特点。这些废气排放主要可以分为四类:酸性气体、碱性气体、有机废气和有毒气体。

酸碱废气主要来自于扩散、CVD 、CMP 及刻蚀等工序，这些工序使用酸碱清洗液对晶片进行清洗。目前，在半导体制造工艺中使用最为普遍的清洗溶剂为过氧化氢和硫酸的混合剂。这些工序中产生的废气包括硫酸、氢氟酸、盐酸、硝酸及磷酸等的挥发气，碱性气体为氨气。

有机废气主要来源于光刻、显影、刻蚀及扩散等工序，在这些工序中要用有机溶液(如异丙醇)对晶片表面进行清洗，其挥发产生的废气是有机废气的来源之一: 同时，在光刻、刻蚀等过程中使用的光阻剂(光刻胶)中含有易挥发的有机溶剂，如醋酸丁酯等，在晶片处理过程中也要挥发到大气中，是VOCs废气产生的又一来源。

有毒废气主要来源于晶体外延、干法刻蚀及CVD 等工序中，在这些工序中要使用到多种高纯特殊气体对晶片进行处理，如硅烷( SiH4) 、磷烷(PH3 ) 、四氟化碳( CF4 ) 、硼烷、三氯化硼等，部分特殊气体具有毒害性、窒息性及腐蚀性。

②封装

封装指从晶片上切割单个芯片到最后包装的一系列步骤。

封装工艺产生的废气较为简单，主要是酸性气体、环氧树脂及粉尘。酸性废气主要产生于电镀等工艺;烘烤废气则产生于晶粒粘贴、封胶后烘烤过程;划片机在晶片切割过程中，产生含微量砂尘的废气。

显示器件及光电子器件

从产生污染的角度而言，显示器件的代表性产品为TFT-LCD (薄膜晶体管液晶显示器件)，光电子器件的代表性产品为LED光电子器件。

①TFT-LCD

完整的TFT-LCD 生产工艺流程主要包括阵列工程( Array) 、彩膜工程(CF) 、成盒工程(Cell ) 三大部分。

②LED

电子终端产品

电子终端产品生产过程主要包括印制电路板(俗称板卡)、组装(板级组装)、整机装配和产品调试。

电子终端产品制造行业废气排放潜在的污染物主要是锡和锡化合物、铅和铅化合物及VOCs (苯系物与乙醇、异丙醇、丙酮等) 。

二、制药工业

制药行业属于精细化工行业，其特点为生产品种多，生产工序长，使用原料种类多、数量大，原材料利用率低，导致制药行业生产过程产生的“三废”量大，废物成分复杂，污染危害严重。制药工艺中往往需要采用有机溶剂对药品进行分离和提取，因此VOCs 是制药工业中最主要的大气污染物之一。

按生产工艺，制药可分为发酵类、提取类、化学合成类、制剂类、生物工程类和中药类。

发酵类

发酵类药品主要包括:抗生素、维生素、氨基酸和其他类。我国抗生素类药物品种齐全，主要优势品种有青霉素、链霉素、四环素、氯霉素、土霉素等产品。

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